Driftstörningar
Det förekommer återkommande driftstörningar på några av sök-portalerna på grund av hög belastning. Vi arbetar på att lösa problemet, ni kan tillfälligt mötas av ett felmeddelande.
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Quantum Nonlinear Acoustic Hall Effect and Inverse Acoustic Faraday Effect in Dirac Insulators
Stockholms universitet, Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita). Stockholms universitet, Naturvetenskapliga fakulteten, Fysikum.ORCID-id: 0000-0001-6510-8870
Antal upphovsmän: 32025 (Engelska)Ingår i: Physical Review Letters, ISSN 0031-9007, E-ISSN 1079-7114, Vol. 134, nr 2, artikel-id 026304Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We propose to realize the quantum nonlinear Hall effect and the inverse Faraday effect through the acoustic wave in a time-reversal invariant but inversion broken Dirac insulator. We focus on the acoustic frequency much lower than the Dirac gap such that the interband transition is suppressed and these effects arise solely from the intrinsic valley-contrasting band topology. The corresponding acoustoelectric conductivity and magnetoacoustic susceptibility are both proportional to the quantized valley Chern number and independent of the quasiparticle lifetime. The linear and nonlinear components of the longitudinal and transverse topological currents can be tuned by adjusting the polarization and propagation directions of the surface acoustic wave. The static magnetization generated by a circularly polarized acoustic wave scales linearly with the acoustic frequency as well as the strain-induced charge density. Our results unveil a quantized nonlinear topological acoustoelectric response of gapped Dirac materials, like hexagonal boron nitride and transition-metal dichalcogenide, paving the way toward room-temperature acoustoelectric devices due to their large band gaps.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2025. Vol. 134, nr 2, artikel-id 026304
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:su:diva-239981DOI: 10.1103/PhysRevLett.134.026304ISI: 001415978200004PubMedID: 39913826Scopus ID: 2-s2.0-85215251235OAI: oai:DiVA.org:su-239981DiVA, id: diva2:1941342
Tillgänglig från: 2025-02-28 Skapad: 2025-02-28 Senast uppdaterad: 2025-02-28Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextPubMedScopus

Person

Balatsky, Alexander V.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Balatsky, Alexander V.
Av organisationen
Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita)Fysikum
I samma tidskrift
Physical Review Letters
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
pubmed
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
pubmed
urn-nbn
Totalt: 88 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf