Driftstörningar
Det förekommer återkommande driftstörningar på några av sök-portalerna på grund av hög belastning. Vi arbetar på att lösa problemet, ni kan tillfälligt mötas av ett felmeddelande.
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Large inverse Faraday effect for Rydberg states of free atoms and isolated donors in semiconductors
Stockholms universitet, Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita). University of Connecticut, USA.
Stockholms universitet, Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita).ORCID-id: 0000-0003-2160-5984
Stockholms universitet, Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita). Stockholms universitet, Naturvetenskapliga fakulteten, Fysikum. University of Connecticut, USA.ORCID-id: 0000-0001-6510-8870
Antal upphovsmän: 42025 (Engelska)Ingår i: Physical Review B, ISSN 2469-9950, E-ISSN 2469-9969, Vol. 111, nr 6, artikel-id 064425Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We report on the induction of magnetization in Rydberg systems by means of the inverse Faraday effect and propose the appearance of the effect in two such systems: Rydberg atoms proper and shallow dopants in semiconductors. Rydberg atoms are characterized by a large orbital radius. This large radius gives such excited states a large angular moment, which when driven with circularly polarized light translates to a large effective magnetic field Beff. We calculate this effect to generate effective magnetic fields of O(1μT)×(ω1THz)-1(I10Wcm-2)n4 in the Rydberg states of atoms such as Rb and Cs for off-resonant photon beams with frequency ω and intensity I expressed in units of the denominators and n the principal quantum number. Additionally, terahertz spectroscopy of phosphorus-doped silicon reveals a large cross section for excitation of shallow dopants to Rydberg-like states, which even for small n have the potential to be driven similarly with circularly polarized light to produce an even larger magnetization. Our theoretical calculations estimate Beff as O(102T) for Si:P with a beam intensity of 108Wcm-2.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2025. Vol. 111, nr 6, artikel-id 064425
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:su:diva-242125DOI: 10.1103/PhysRevB.111.064425ISI: 001460857300002Scopus ID: 2-s2.0-85219143754OAI: oai:DiVA.org:su-242125DiVA, id: diva2:1952069
Tillgänglig från: 2025-04-14 Skapad: 2025-04-14 Senast uppdaterad: 2025-04-14Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Khaymovich, IvanBalatsky, Alexander V.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Khaymovich, IvanBalatsky, Alexander V.
Av organisationen
Nordiska institutet för teoretisk fysik (Nordita)Fysikum
I samma tidskrift
Physical Review B
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 110 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf